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电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子借助于靶表面上形成的正交电磁场，被束缚在靶表面特定区域，增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射。是制备低维度，小尺寸纳米材料器件的必备实验手段，广泛应用于集成电路，光子晶体，低维半导体等领域。

主要用于溅射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Pd、Pt、Zn等金属薄膜，Si、SiO2等介质薄膜

极限真空：7E-8 Torr（ 30分钟从 atm 抽到 5E-6 Torr ）

薄膜均匀性：±5% （ 4英寸）

靶源：2个4英寸，4个2英寸。样品兼容4英寸及以下尺寸。

电源：具备RF(600W), DC 和Pulse DC(1KW)

样品温度：20-500oC

工艺气体：Ar，O2，N2